TSM170N06CP ROG - Taiwan Semiconductor Corporation

Artikelnummer	TSM170N06CP ROG
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	38A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	17 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	28.5nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	900pF @ 25V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	46W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	TO-252, (D-Pak)
Paket / Fall	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
TSM170N06CH C5G	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET N-CHANNEL 60V 38A TO251	Einzelheiten
TSM170N06CP ROG	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET N-CHANNEL 60V 38A TO252	Einzelheiten
TSM170N06PQ56 RLG	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET N-CH 60V 44A 8PDFN	Einzelheiten