TSM13ND50CI detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
TSM13ND50CI |
Teilstatus |
Active |
FET Typ |
N-Channel |
Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
500V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
13A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) |
10V |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
480 mOhm @ 3.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
3.8V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
39nC @ 10V |
Vgs (Max) |
±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
1877pF @ 50V |
FET-Eigenschaft |
- |
Verlustleistung (Max) |
57W (Tc) |
Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart |
Through Hole |
Lieferantengerätepaket |
ITO-220 |
Paket / Fall |
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
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