TSM045NB06CR RLG - Taiwan Semiconductor Corporation

Artikelnummer	TSM045NB06CR RLG
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	16A (Ta), 104A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	5 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	104nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	6870pF @ 30V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	3.1W (Ta), 136W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	8-PDFN (5x6)
Paket / Fall	8-PowerTDFN
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Bild	Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
	TSM045NA03CR RLG	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET N-CH 30V 108A 8PDFN	Einzelheiten
	TSM045NB06CR RLG	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH	Einzelheiten