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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln › TS13002ACT B0G
TS13002ACT B0G

TS13002ACT B0G - Taiwan Semiconductor Corporation

Artikelnummer
TS13002ACT B0G
Hersteller
Taiwan Semiconductor Corporation
Kurze Beschreibung
TRANSISTOR NPN 400V 0.3A 20A
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
TS13002ACT B0G PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
1772912 pcs
Referenzpreis
USD 0.09287/pcs
Unser Preis
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TS13002ACT B0G detaillierte Beschreibung

Artikelnummer TS13002ACT B0G
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 300mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 400V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 20mA, 200mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 1µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 25 @ 100mA, 10V
Leistung max 600mW
Frequenz - Übergang 4MHz
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Lieferantengerätepaket TO-92
Gewicht -
Ursprungsland -

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