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| Artikelnummer | SFS1001GHMNG |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Dioden-Typ | Standard |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
| Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | 10A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 975mV @ 5A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | 35ns |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 1µA @ 50V |
| Kapazität @ Vr, F | 70pF @ 4V, 1MHz |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Lieferantengerätepaket | TO-263AB (D²PAK) |
| Betriebstemperatur - Kreuzung | -55°C ~ 150°C |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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SFS1001G MNG | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 50V 10A TO263AB | Einzelheiten |
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SFS1001GHMNG | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 50V 10A TO263AB | Einzelheiten |
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SFS1002G MNG | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 100V 10A TO263AB | Einzelheiten |
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SFS1002GHMNG | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 100V 10A TO263AB | Einzelheiten |
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SFS1003G MNG | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 150V 10A TO263AB | Einzelheiten |
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SFS1003GHMNG | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 150V 10A TO263AB | Einzelheiten |
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SFS1004G MNG | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 200V 10A TO263AB | Einzelheiten |
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SFS1004GHMNG | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 200V 10A TO263AB | Einzelheiten |
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SFS1005G MNG | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 300V 10A TO263AB | Einzelheiten |
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SFS1005GHMNG | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 300V 10A TO263AB | Einzelheiten |
