| Artikelnummer | S3B R7G |
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| Teilstatus | Not For New Designs |
| Dioden-Typ | Standard |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
| Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | 3A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.15V @ 3A |
| Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | 1.5µs |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 5µA @ 100V |
| Kapazität @ Vr, F | 30pF @ 4V, 1MHz |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | DO-214AB, SMC |
| Lieferantengerätepaket | DO-214AB (SMC) |
| Betriebstemperatur - Kreuzung | -55°C ~ 150°C |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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S3B | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 3A SMC | Einzelheiten |
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S3B M6G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB | Einzelheiten |
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S3B R7G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB | Einzelheiten |
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S3B V6G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB | Einzelheiten |
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S3B V7G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB | Einzelheiten |
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S3B-13 | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 100V 3A SMC | Einzelheiten |
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S3B-13-F | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 100V 3A SMC | Einzelheiten |
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S3B-E3/57T | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB | Einzelheiten |
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S3B-E3/9AT | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB | Einzelheiten |
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S3B-EH | JST Sales America Inc. | CONN HEADER EH SIDE 3POS 2.5MM | Einzelheiten |
