KBL603G T0 - Taiwan Semiconductor Corporation

Artikelnummer	KBL603G T0
Teilstatus	Active
Dioden-Typ	Single Phase
Technologie	Standard
Spannung - Spitzenrücklauf (Max)	200V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io)	6A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If	1.1V @ 6A
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr	10µA @ 200V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Paket / Fall	4-SIP, KBL
Lieferantengerätepaket	KBL
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
KBL6005	DAESAN	CURRENT 6.0 Amperes VOLTAGE 50 to 1000 Volts	Einzelheiten
KBL601	TSC	Single Phase 6.0 AMPS. Silicon Bridge Rectifiers	Einzelheiten
KBL601G	GeneSiC Semiconductor	DIODE BRIDGE 50V 6A KBL	Einzelheiten
KBL601G T0	Taiwan Semiconductor Corporation	BRIDGE RECT 1PHASE 50V 6A KBL	Einzelheiten
KBL601G T0G	Taiwan Semiconductor Corporation	BRIDGE RECT 1PHASE 50V 6A KBL	Einzelheiten
KBL601_1	TSC	Single Phase 6.0 AMPS. Silicon Bridge Rectifiers	Einzelheiten
KBL602	TSC	Single Phase 6.0 AMPS. Silicon Bridge Rectifiers	Einzelheiten
KBL602G	GeneSiC Semiconductor	DIODE BRIDGE 100V 6A KBL	Einzelheiten
KBL602G T0	Taiwan Semiconductor Corporation	BRIDGE RECT 1PHASE 100V 6A KBL	Einzelheiten
KBL602G T0G	Taiwan Semiconductor Corporation	BRIDGE RECT 1PHASE 100V 6A KBL	Einzelheiten