HDBLS106G C1G - Taiwan Semiconductor Corporation

Artikelnummer	HDBLS106G C1G
Teilstatus	Active
Dioden-Typ	Single Phase
Technologie	Standard
Spannung - Spitzenrücklauf (Max)	800V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io)	1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If	1.7V @ 1A
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr	5µA @ 800V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	4-SMD, Gull Wing
Lieferantengerätepaket	DBLS
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
HDBLS101G C1G	Taiwan Semiconductor Corporation	BRIDGE RECT 1PHASE 50V 1A DBLS	Einzelheiten
HDBLS101G RDG	Taiwan Semiconductor Corporation	BRIDGE RECT 1PHASE 50V 1A DBLS	Einzelheiten
HDBLS102G C1G	Taiwan Semiconductor Corporation	BRIDGE RECT 1PHASE 100V 1A DBLS	Einzelheiten
HDBLS102G RDG	Taiwan Semiconductor Corporation	BRIDGE RECT 1PHASE 100V 1A DBLS	Einzelheiten
HDBLS103G C1G	Taiwan Semiconductor Corporation	BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A DBLS	Einzelheiten
HDBLS103G RDG	Taiwan Semiconductor Corporation	BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A DBLS	Einzelheiten
HDBLS104G C1G	Taiwan Semiconductor Corporation	BRIDGE RECT 1PHASE 400V 1A DBLS	Einzelheiten
HDBLS104G RDG	Taiwan Semiconductor Corporation	BRIDGE RECT 1PHASE 400V 1A DBLS	Einzelheiten
HDBLS105G C1G	Taiwan Semiconductor Corporation	BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A DBLS	Einzelheiten
HDBLS105G RDG	Taiwan Semiconductor Corporation	BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A DBLS	Einzelheiten