DBLS209G RDG - Taiwan Semiconductor Corporation

Artikelnummer	DBLS209G RDG
Teilstatus	Active
Dioden-Typ	Single Phase
Technologie	Standard
Spannung - Spitzenrücklauf (Max)	1.4kV
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io)	2A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If	1.3V @ 2A
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr	2µA @ 1400V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	4-SMD, Gull Wing
Lieferantengerätepaket	DBLS
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
DBLS101G C1G	Taiwan Semiconductor Corporation	BRIDGE RECT 1PHASE 50V 1A DBLS	Einzelheiten
DBLS101G RDG	Taiwan Semiconductor Corporation	BRIDGE RECT 1PHASE 50V 1A DBLS	Einzelheiten
DBLS101GHC1G	Taiwan Semiconductor Corporation	BRIDGE RECT 1PHASE 50V 1A DBLS	Einzelheiten
DBLS101GHRDG	Taiwan Semiconductor Corporation	BRIDGE RECT 1PHASE 50V 1A DBLS	Einzelheiten
DBLS102G C1G	Taiwan Semiconductor Corporation	BRIDGE RECT 1PHASE 100V 1A DBLS	Einzelheiten
DBLS102G RDG	Taiwan Semiconductor Corporation	BRIDGE RECT 1PHASE 100V 1A DBLS	Einzelheiten
DBLS102GHC1G	Taiwan Semiconductor Corporation	BRIDGE RECT 1PHASE 100V 1A DBLS	Einzelheiten
DBLS102GHRDG	Taiwan Semiconductor Corporation	BRIDGE RECT 1PHASE 100V 1A DBLS	Einzelheiten
DBLS103G C1G	Taiwan Semiconductor Corporation	BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A DBLS	Einzelheiten
DBLS103G RDG	Taiwan Semiconductor Corporation	BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A DBLS	Einzelheiten