BAV101 L0G - Taiwan Semiconductor Corporation

Artikelnummer	BAV101 L0G
Teilstatus	Active
Dioden-Typ	Standard
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max)	250V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io)	200mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If	1V @ 100mA
Geschwindigkeit	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Wiederherstellungszeit (trr)	-
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr	100nA @ 200V
Kapazität @ Vr, F	4pF @ 0V, 1MHz
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Lieferantengerätepaket	Mini MELF
Betriebstemperatur - Kreuzung	-65°C ~ 200°C
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
BAV10	SYNSEMI	HIGH SPEED SWITCHING DIODE	Einzelheiten
BAV100	VISHAY	Silicon Epitaxial Planar Diodes	Einzelheiten
BAV100-GS08	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 50V 250MA SOD80	Einzelheiten
BAV100-GS18	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 50V 250MA SOD80	Einzelheiten
BAV100_07	SEMIKRON	Ultrafast silicon rectifier diodes	Einzelheiten
BAV101	PHIL	BAV101 PHIL SOP New Original Stocks	Einzelheiten
BAV101 L0G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GP 250V 200MA MINIMELF	Einzelheiten
BAV101 L1G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GP 250V 200MA MINIMELF	Einzelheiten
BAV101-GS08	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD80	Einzelheiten
BAV101-GS18	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD80	Einzelheiten