STW11NM80

STW11NM80 - STMicroelectronics

Artikelnummer
STW11NM80
Hersteller
STMicroelectronics
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 11A TO-247
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
982 pcs
Referenzpreis
USD 6.6/pcs
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STW11NM80 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer STW11NM80
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 800V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 11A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 43.6nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1630pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 150W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 400 mOhm @ 5.5A, 10V
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247-3
Paket / Fall TO-247-3
Gewicht -
Ursprungsland -

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