STP14NM65N

STP14NM65N - STMicroelectronics

Artikelnummer
STP14NM65N
Hersteller
STMicroelectronics
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 12A TO-220
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
2165 pcs
Referenzpreis
USD 5.51/pcs
Unser Preis
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STP14NM65N detaillierte Beschreibung

Artikelnummer STP14NM65N
Teilstatus Obsolete
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 650V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 12A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1300pF @ 50V
Vgs (Max) ±25V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 125W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 380 mOhm @ 6A, 10V
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Fall TO-220-3
Gewicht -
Ursprungsland -

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