STN1HNK60 - STMicroelectronics

Artikelnummer	STN1HNK60
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	400mA (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.7V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	10nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	156pF @ 25V
Vgs (Max)	±30V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	3.3W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	8.5 Ohm @ 500mA, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	SOT-223
Paket / Fall	TO-261-4, TO-261AA
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
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