STL57N65M5 detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
STL57N65M5 |
Teilstatus |
Active |
FET Typ |
N-Channel |
Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
650V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
4.3A (Ta), 22.5A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) |
10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
5V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
110nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
4200pF @ 100V |
Vgs (Max) |
±25V |
FET-Eigenschaft |
- |
Verlustleistung (Max) |
2.8W (Ta), 189W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
69 mOhm @ 20A, 10V |
Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart |
Surface Mount |
Lieferantengerätepaket |
PowerFLAT™ (8x8) |
Paket / Fall |
8-PowerVDFN |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
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