STL21N65M5 detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
STL21N65M5 |
Teilstatus |
Active |
FET Typ |
N-Channel |
Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
650V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
17A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) |
10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
5V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
50nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
1950pF @ 100V |
Vgs (Max) |
±25V |
FET-Eigenschaft |
- |
Verlustleistung (Max) |
3W (Ta), 125W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
179 mOhm @ 8.5A, 10V |
Betriebstemperatur |
150°C (TJ) |
Befestigungsart |
Surface Mount |
Lieferantengerätepaket |
PowerFlat™ (8x8) HV |
Paket / Fall |
4-PowerFlat™ HV |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
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