STGYA120M65DF2AG - STMicroelectronics

Artikelnummer	STGYA120M65DF2AG
Teilstatus	Active
IGBT-Typ	Trench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	650V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)	160A
Strom - Kollektorimpuls (Icm)	360A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic	2.15V @ 15V, 120A
Leistung max	625W
Energie wechseln	1.8mJ (on), 4.41mJ (off)
Eingabetyp	Standard
Gate Ladung	420nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C	66ns/185ns
Testbedingung	400V, 120A, 4.7 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr)	202ns
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Paket / Fall	TO-247-3
Lieferantengerätepaket	MAX247™
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Bild	Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
	STGYA120M65DF2	STMicroelectronics	TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S	Einzelheiten
	STGYA120M65DF2AG	STMicroelectronics	IGBT	Einzelheiten