STGWT40H65DFB

STGWT40H65DFB - STMicroelectronics

Artikelnummer
STGWT40H65DFB
Hersteller
STMicroelectronics
Kurze Beschreibung
IGBT 650V 80A 283W TO3P-3L
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
1325 pcs
Referenzpreis
USD 4.26/pcs
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STGWT40H65DFB detaillierte Beschreibung

Artikelnummer STGWT40H65DFB
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 650V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 80A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 160A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 40A
Leistung max 283W
Energie wechseln 498µJ (on), 363µJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 210nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 40ns/142ns
Testbedingung 400V, 40A, 5 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 62ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3
Lieferantengerätepaket TO-3P
Gewicht -
Ursprungsland -

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