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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Einzeln › STGW80H65DFB-4
STGW80H65DFB-4

STGW80H65DFB-4 - STMicroelectronics

Artikelnummer
STGW80H65DFB-4
Hersteller
STMicroelectronics
Kurze Beschreibung
IGBT BIPO 650V 80A TO247
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
STGW80H65DFB-4 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
2982 pcs
Referenzpreis
USD 8.8305/pcs
Unser Preis
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STGW80H65DFB-4 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer STGW80H65DFB-4
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 650V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 120A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 240A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 80A
Leistung max 469W
Energie wechseln 2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 414nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 84ns/280ns
Testbedingung 400V, 80A, 10 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 85ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-247-4
Lieferantengerätepaket TO-247-4L
Gewicht -
Ursprungsland -

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Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
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