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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Einzeln › STGF4M65DF2
STGF4M65DF2

STGF4M65DF2 - STMicroelectronics

Artikelnummer
STGF4M65DF2
Hersteller
STMicroelectronics
Kurze Beschreibung
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
STGF4M65DF2 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
STGF4M65DF2.pdf
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
4962 pcs
Referenzpreis
USD 0.92/pcs
Unser Preis
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STGF4M65DF2 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer STGF4M65DF2
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 650V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 8A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 16A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 4A
Leistung max 23W
Energie wechseln 40µJ (on), 136µJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 15.2nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 12ns/86ns
Testbedingung 400V, 4A, 47 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 133ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Lieferantengerätepaket TO-220FP
Gewicht -
Ursprungsland -

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