STGD4M65DF2

STGD4M65DF2 - STMicroelectronics

Artikelnummer
STGD4M65DF2
Hersteller
STMicroelectronics
Kurze Beschreibung
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
71765 pcs
Referenzpreis
USD 0.3749/pcs
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STGD4M65DF2 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer STGD4M65DF2
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 650V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 8A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 16A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 4A
Leistung max 68W
Energie wechseln 40µJ (on), 136µJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 15.2nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 12ns/86ns
Testbedingung 400V, 4A, 47 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 133ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Lieferantengerätepaket DPAK
Gewicht -
Ursprungsland -

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