STFI13N60M2

STFI13N60M2 - STMicroelectronics

Artikelnummer
STFI13N60M2
Hersteller
STMicroelectronics
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 600V I2PAK-FP
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
1137 pcs
Referenzpreis
USD 3.65/pcs
Unser Preis
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STFI13N60M2 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer STFI13N60M2
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 11A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 580pF @ 100V
Vgs (Max) ±25V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 25W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 380 mOhm @ 5.5A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket I2PAKFP (TO-281)
Paket / Fall TO-262-3 Full Pack, I²Pak
Gewicht -
Ursprungsland -

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