STF7N52DK3 - STMicroelectronics

Artikelnummer	STF7N52DK3
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	525V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	6A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 50µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	33nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	870pF @ 50V
Vgs (Max)	±30V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	25W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	1.15 Ohm @ 3A, 10V
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-220FP
Paket / Fall	TO-220-3 Full Pack
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
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STF7N52DK3	STMicroelectronics	MOSFET N-CH 525V 6A TO-220FP	Einzelheiten