S4KW8C-4D - Semtech Corporation

Artikelnummer	S4KW8C-4D
Teilstatus	Active
Diodenkonfiguration	-
Dioden-Typ	-
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max)	8000V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode)	6A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If	8V @ 12A
Geschwindigkeit	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Wiederherstellungszeit (trr)	2µs
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr	4µA @ 8000V
Betriebstemperatur - Kreuzung	-55°C ~ 150°C
Befestigungsart	Chassis Mount
Paket / Fall	Module
Lieferantengerätepaket	-
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
S4K	TSC	4.0 AMPS. Surface Mount Rectifiers	Einzelheiten
S4K M6G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 800V 4A DO214AB	Einzelheiten
S4K R7G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 800V 4A DO214AB	Einzelheiten
S4K V6G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 800V 4A DO214AB	Einzelheiten
S4K V7G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 800V 4A DO214AB	Einzelheiten
S4KW10C-5	SEMTECH	STANDARD RECOVERY HIGH POWER DOUBLER AND CENTER TAPS	Einzelheiten
S4KW10C-5D	Semtech Corporation	DIODE GEN PURP 10KV 6A MODULE	Einzelheiten
S4KW10C-5N	Semtech Corporation	DIODE GEN PURP 10KV 12A MODULE	Einzelheiten
S4KW10C-5P	Semtech Corporation	DIODE GEN PURP 10KV 12A MODULE	Einzelheiten
S4KW12C-6	SEMTECH	STANDARD RECOVERY HIGH POWER DOUBLER AND CENTER TAPS	Einzelheiten