| Artikelnummer | S4KW2C-1D |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Diodenkonfiguration | - |
| Dioden-Typ | - |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 2000V |
| Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 8A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 2V @ 12A |
| Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | 2µs |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 4µA @ 2000V |
| Betriebstemperatur - Kreuzung | -55°C ~ 150°C |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Module |
| Lieferantengerätepaket | - |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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S4K | TSC | 4.0 AMPS. Surface Mount Rectifiers | Einzelheiten |
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S4K M6G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 800V 4A DO214AB | Einzelheiten |
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S4K R7G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 800V 4A DO214AB | Einzelheiten |
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S4K V6G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 800V 4A DO214AB | Einzelheiten |
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S4K V7G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 800V 4A DO214AB | Einzelheiten |
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S4KW10C-5 | SEMTECH | STANDARD RECOVERY HIGH POWER DOUBLER AND CENTER TAPS | Einzelheiten |
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S4KW10C-5D | Semtech Corporation | DIODE GEN PURP 10KV 6A MODULE | Einzelheiten |
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S4KW10C-5N | Semtech Corporation | DIODE GEN PURP 10KV 12A MODULE | Einzelheiten |
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S4KW10C-5P | Semtech Corporation | DIODE GEN PURP 10KV 12A MODULE | Einzelheiten |
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S4KW12C-6 | SEMTECH | STANDARD RECOVERY HIGH POWER DOUBLER AND CENTER TAPS | Einzelheiten |
