GKI06109 - Sanken

Artikelnummer	GKI06109
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	9A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 650µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	38.6nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2520pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	3.1W (Ta), 59W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	8.9 mOhm @ 23.6A, 10V
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	8-DFN (5x6)
Paket / Fall	8-PowerTDFN
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
GKI03026	Sanken	MOSFET N-CH 30V 22A 8DFN	Einzelheiten
GKI03039	Sanken	MOSFET N-CH 30V 18A 8DFN	Einzelheiten
GKI03061	Sanken	MOSFET N-CH 30V 26A 8DFN	Einzelheiten
GKI03080	Sanken	MOSFET N-CH 30V 26A 8DFN	Einzelheiten
GKI04031	Sanken	MOSFET N-CH 40V 17A 8DFN	Einzelheiten
GKI04048	Sanken	MOSFET N-CH 40V 14A 8DFN	Einzelheiten
GKI04076	Sanken	MOSFET N-CH 40V 11A 8DFN	Einzelheiten
GKI04101	Sanken	MOSFET N-CH 40V 9A 8DFN	Einzelheiten
GKI06071	Sanken	MOSFET N-CH 60V 11A 8DFN	Einzelheiten
GKI06109	Sanken	MOSFET N-CH 60V 9A 8DFN	Einzelheiten