FKP253 - Sanken

Artikelnummer	FKP253
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	250V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	20A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1600pF @ 25V
Vgs (Max)	±30V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	40W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	95 mOhm @ 10A, 10V
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-220
Paket / Fall	TO-220-3 Full Pack
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
FK-130	EXSHINE	FK-130RH	Einzelheiten
FK-130RH-09490	EXSHINE	FK-130RH	Einzelheiten
FK-130SH-09450	EXSHINE	FK-130RH	Einzelheiten
FK-37-21C-7/8-R	JAE Electronics	CONN PLUG FMALE 37POS SLVR SLDR	Einzelheiten
FK-37-22C-7/8-R	JAE Electronics	CONN PLUG MALE 37POS SLVR SLDR	Einzelheiten
FK-37-31S-R	JAE Electronics	CONN RCPT FMALE 37POS SLVR SLDR	Einzelheiten
FK-37-32S-R	JAE Electronics	CONN RCPT MALE 37POS SOLDER CUP	Einzelheiten
FK0100001	Diodes Incorporated	OSCILLATOR XO 1.000MHZ CMOS SMD	Einzelheiten
FK0100002	Diodes Incorporated	OSCILLATOR XO 1.000MHZ CMOS SMD	Einzelheiten
FK0180004	Diodes Incorporated	OSCILLATOR XO 1.843MHZ CMOS SMD	Einzelheiten