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| Artikelnummer | CL32C472JBFNNNE |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Kapazität | 4700pF |
| Toleranz | ±5% |
| Spannung - Bewertet | 50V |
| Temperaturkoeffizient | C0G, NP0 |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Eigenschaften | - |
| Bewertungen | - |
| Anwendungen | General Purpose |
| Fehlerrate | - |
| Befestigungsart | Surface Mount, MLCC |
| Paket / Fall | 1210 (3225 Metric) |
| Größe / Dimension | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) |
| Höhe - Sitzend (Max) | - |
| Dicke (Max) | 0.057" (1.45mm) |
| Abstand zwischen den Elektroden | - |
| Führungsstil | - |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
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CL32C1 | EXSHINE | HC-49/US SMD Microprocessor Crystals | Einzelheiten |
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CL32C101JJFNNNE | Samsung Electro-Mechanics America, Inc. | CAP CER 100PF 2KV C0G/NP0 1210 | Einzelheiten |
%2018.jpg "CL32C101KIFNNWE") |
CL32C101KIFNNWE | Samsung Electro-Mechanics America, Inc. | CAP CER 100PF 1KV C0G/NP0 1210 | Einzelheiten |
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CL32C103FBFNNNE | Samsung Electro-Mechanics America, Inc. | CAP CER 10000PF 50V C0G/NP0 1210 | Einzelheiten |
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CL32C103GBFNNNE | Samsung Electro-Mechanics America, Inc. | CAP CER 10000PF 50V C0G/NP0 1210 | Einzelheiten |
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CL32C103JBFNNNE | Samsung Electro-Mechanics America, Inc. | CAP CER 10000PF 50V C0G/NP0 1210 | Einzelheiten |
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CL32C113JBHNNNE | Samsung Electro-Mechanics America, Inc. | CAP CER 0.011UF 50V C0G/NP0 1210 | Einzelheiten |
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CL32C113JBHNNNF | Samsung Electro-Mechanics America, Inc. | CAP CER 0.011UF 50V NP0 1210 | Einzelheiten |
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CL32C182JGHNNNE | Samsung Electro-Mechanics America, Inc. | CAP CER 1800PF 500V C0G/NP0 1210 | Einzelheiten |
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CL32C182JGHNNNF | Samsung Electro-Mechanics America, Inc. | CAP CER 1800PF 500V NP0 1210 | Einzelheiten |
