UMB3NFHATN - Rohm Semiconductor

Artikelnummer	UMB3NFHATN
Teilstatus	Active
Transistor-Typ	2 PNP Pre-Biased (Dual)
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)	100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	50V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max)	500nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 1mA, 5V
Leistung max	150mW
Frequenz - Übergang	250MHz
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Lieferantengerätepaket	UMT6
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
UMB3	ROHM	UMB3 ROHM SOT-36.. New Original Stocks	Einzelheiten
UMB3N	ROMH	UMB3N ROMH SC70-6 New Original Stocks	Einzelheiten
UMB3NFHATN	Rohm Semiconductor	PNPPNP DIGITAL TRANSISTOR WITH	Einzelheiten
UMB3NTN	Rohm Semiconductor	TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6	Einzelheiten
UMB3N_1	ROHM	General purpose (dual digital transistors)	Einzelheiten