TT8J11TCR detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
TT8J11TCR |
Teilstatus |
Active |
FET Typ |
2 P-Channel (Dual) |
FET-Eigenschaft |
Logic Level Gate, 1.5V Drive |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
12V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
3.5A |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
43 mOhm @ 3.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
1V @ 1mA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
22nC @ 4.5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
2600pF @ 6V |
Leistung max |
650mW |
Betriebstemperatur |
150°C (TJ) |
Befestigungsart |
Surface Mount |
Paket / Fall |
8-SMD, Flat Lead |
Lieferantengerätepaket |
8-TSST |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
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