SP8M4FU6TB

SP8M4FU6TB - Rohm Semiconductor

Artikelnummer
SP8M4FU6TB
Hersteller
Rohm Semiconductor
Kurze Beschreibung
MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
SP8M4FU6TB PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
SP8M4FU6TB.pdf
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
28252 pcs
Referenzpreis
USD 0.937/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

Bitte füllen Sie das folgende Formular aus, um ein Angebot für anzufordern SP8M4FU6TB

SP8M4FU6TB detaillierte Beschreibung

Artikelnummer SP8M4FU6TB
Teilstatus Not For New Designs
FET Typ N and P-Channel
FET-Eigenschaft Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 9A, 7A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 18 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1190pF @ 10V
Leistung max 2W
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOP
Gewicht -
Ursprungsland -

VERWANDTE PRODUKTE FÜR SP8M4FU6TB