RTL020P02TR detaillierte Beschreibung
| Artikelnummer |
RTL020P02TR |
| Teilstatus |
Not For New Designs |
| FET Typ |
P-Channel |
| Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
2A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) |
2.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
2V @ 1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
4.9nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
430pF @ 10V |
| Vgs (Max) |
±12V |
| FET-Eigenschaft |
- |
| Verlustleistung (Max) |
1W (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
135 mOhm @ 2A, 4.5V |
| Betriebstemperatur |
150°C (TJ) |
| Befestigungsart |
Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket |
TUMT6 |
| Paket / Fall |
6-SMD, Flat Leads |
| Gewicht |
- |
| Ursprungsland |
- |
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