RSE002N06TL - Rohm Semiconductor

Artikelnummer	RSE002N06TL
Teilstatus	Not For New Designs
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	250mA (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	2.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.3V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	15pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	150mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	2.4 Ohm @ 250mA, 10V
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	EMT3
Paket / Fall	SC-75, SOT-416
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
RSE002N06	rohm	RSE002N06 rohm SOT423 New Original Stocks	Einzelheiten
RSE002N06TL	Rohm Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 0.25A EMT3	Einzelheiten
RSE002P03	ROHM	4V Drive Pch MOSFET	Einzelheiten
RSE002P03TL	Rohm Semiconductor	MOSFET P-CH 30V 200MA SOT416	Einzelheiten