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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Einzeln › RGW60TS65GC11
RGW60TS65GC11

RGW60TS65GC11 - Rohm Semiconductor

Artikelnummer
RGW60TS65GC11
Hersteller
Rohm Semiconductor
Kurze Beschreibung
650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
RGW60TS65GC11 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
37082 pcs
Referenzpreis
USD 4.44/pcs
Unser Preis
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RGW60TS65GC11 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer RGW60TS65GC11
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 650V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 60A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 120A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 30A
Leistung max 178W
Energie wechseln 480µJ (on), 490µJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 84nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 37ns/114ns
Testbedingung 400V, 30A, 10 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) -
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Lieferantengerätepaket TO-247N
Gewicht -
Ursprungsland -

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Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
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