RGTV60TK65DGVC11 - Rohm Semiconductor

Artikelnummer	RGTV60TK65DGVC11
Teilstatus	Active
IGBT-Typ	Trench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	650V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)	33A
Strom - Kollektorimpuls (Icm)	120A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic	1.9V @ 15V, 30A
Leistung max	76W
Energie wechseln	570µJ (on), 500µJ (off)
Eingabetyp	Standard
Gate Ladung	64nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C	33ns/105ns
Testbedingung	400V, 30A, 10 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr)	95ns
Betriebstemperatur	-40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Paket / Fall	TO-3PFM, SC-93-3
Lieferantengerätepaket	TO-3PFM
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
RGTV60TK65DGVC11	Rohm Semiconductor	650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT	Einzelheiten
RGTV60TK65GVC11	Rohm Semiconductor	650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT	Einzelheiten
RGTV60TS65DGC11	Rohm Semiconductor	650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT	Einzelheiten
RGTV60TS65GC11	Rohm Semiconductor	650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT	Einzelheiten