RGTV00TK65GVC11 - Rohm Semiconductor

Artikelnummer	RGTV00TK65GVC11
Teilstatus	Active
IGBT-Typ	Trench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	650V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)	45A
Strom - Kollektorimpuls (Icm)	200A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic	1.9V @ 15V, 50A
Leistung max	94W
Energie wechseln	1.17mJ (on), 940µJ (off)
Eingabetyp	Standard
Gate Ladung	104nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C	41ns/142ns
Testbedingung	400V, 50A, 10 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr)	-
Betriebstemperatur	-40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Paket / Fall	TO-3PFM, SC-93-3
Lieferantengerätepaket	TO-3PFM
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
RGTV00TK65DGC11	Rohm Semiconductor	650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT	Einzelheiten
RGTV00TK65GVC11	Rohm Semiconductor	650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT	Einzelheiten
RGTV00TS65DGC11	Rohm Semiconductor	650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT	Einzelheiten
RGTV00TS65GC11	Rohm Semiconductor	650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT	Einzelheiten