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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Einzeln › RGTH60TS65GC11
RGTH60TS65GC11

RGTH60TS65GC11 - Rohm Semiconductor

Artikelnummer
RGTH60TS65GC11
Hersteller
Rohm Semiconductor
Kurze Beschreibung
IGBT 650V 58A 197W TO-247N
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
RGTH60TS65GC11 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
400 pcs
Referenzpreis
USD 3.09/pcs
Unser Preis
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RGTH60TS65GC11 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer RGTH60TS65GC11
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 650V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 58A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 120A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 30A
Leistung max 197W
Energie wechseln -
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 58nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 27ns/105ns
Testbedingung 400V, 30A, 10 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) -
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Lieferantengerätepaket TO-247N
Gewicht -
Ursprungsland -

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Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
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