RGT80TS65DGC11 - Rohm Semiconductor

Artikelnummer	RGT80TS65DGC11
Teilstatus	Active
IGBT-Typ	Trench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	650V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)	70A
Strom - Kollektorimpuls (Icm)	120A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 40A
Leistung max	234W
Energie wechseln	-
Eingabetyp	Standard
Gate Ladung	79nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C	34ns/119ns
Testbedingung	400V, 40A, 10 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr)	58ns
Betriebstemperatur	-40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Paket / Fall	TO-247-3
Lieferantengerätepaket	TO-247N
Gewicht	-
Ursprungsland	-