RGT00TS65DGC11 - Rohm Semiconductor

Artikelnummer	RGT00TS65DGC11
Teilstatus	Active
IGBT-Typ	Trench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	650V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)	85A
Strom - Kollektorimpuls (Icm)	150A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 50A
Leistung max	277W
Energie wechseln	-
Eingabetyp	Standard
Gate Ladung	94nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C	42ns/137ns
Testbedingung	400V, 50A, 10 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr)	54ns
Betriebstemperatur	-40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Paket / Fall	TO-247-3
Lieferantengerätepaket	TO-247N
Gewicht	-
Ursprungsland	-