| Artikelnummer | QS8J2TR |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 2 P-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft | Logic Level Gate, 1.5V Drive |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 12V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 4A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 36 mOhm @ 4A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1940pF @ 6V |
| Leistung max | 550mW |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SMD, Flat Lead |
| Lieferantengerätepaket | TSMT8 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
 |
QS8888-15 | Q | QS8888-15 Q DIP New Original Stocks | Einzelheiten |
|
QS8888-15P | QSI | QS8888-15P QSI DIP-22 New Original Stocks | Einzelheiten |
|
QS8A03 | IRC | QS8A03 IRC SSOP16 New Original Stocks | Einzelheiten |
|
QS8AHR032002BA | IRC | QS8AHR032002BA IRC SSOP 1.. New Original Stocks | Einzelheiten |
|
QS8F2TCR | Rohm Semiconductor | MOSFET/TRANS P-CH/PNP TSMT8 | Einzelheiten |
|
QS8J1 | ROHM | 1.5V Drive Pch+Pch MOSFET | Einzelheiten |
|
QS8J11TCR | Rohm Semiconductor | MOSFET 2P-CH 12V 3.5A TSMT8 | Einzelheiten |
|
QS8J12TCR | Rohm Semiconductor | MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8 | Einzelheiten |
|
QS8J13TR | Rohm Semiconductor | MOSFET 2P-CH 12V 5.5A TSMT8 | Einzelheiten |
|
QS8J1TR | Rohm Semiconductor | MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8 | Einzelheiten |
