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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, mit Vorspannung › IMH11AT110
IMH11AT110

IMH11AT110 - Rohm Semiconductor

Artikelnummer
IMH11AT110
Hersteller
Rohm Semiconductor
Kurze Beschreibung
TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
IMH11AT110 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
IMH11AT110.pdf
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, mit Vorspannung
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
312073 pcs
Referenzpreis
USD 0.082/pcs
Unser Preis
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IMH11AT110 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IMH11AT110
Teilstatus Active
Transistor-Typ 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) 10k
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) 10k
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 500nA
Frequenz - Übergang 250MHz
Leistung max 300mW
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall SC-74, SOT-457
Lieferantengerätepaket SMT6
Gewicht -
Ursprungsland -

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