IMB10AT110 - Rohm Semiconductor

Artikelnummer	IMB10AT110
Teilstatus	Active
Transistor-Typ	2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)	100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	50V
Widerstand - Basis (R1) (Ohm)	2.2k
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm)	47k
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce	80 @ 10mA, 5V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max)	500nA
Frequenz - Übergang	250MHz
Leistung max	300mW
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	SC-74, SOT-457
Lieferantengerätepaket	SMT6
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
IMB10A	ROHM	IMB10A ROHM SOT-16.. New Original Stocks	Einzelheiten
IMB10AT110	Rohm Semiconductor	TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6	Einzelheiten
IMB11A	ROHM	IMB11A ROHM SOT-23.. New Original Stocks	Einzelheiten
IMB11ALT110	ROHM	IMB11ALT110 ROHM SOT163 New Original Stocks	Einzelheiten
IMB11AT110	Rohm Semiconductor	TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6	Einzelheiten
IMB12-04BDSVC0S	SICK, Inc.	SEN PROX FLSH 2 WIRE NO M12	Einzelheiten
IMB12-04BDSVU2K	SICK, Inc.	SEN PROX FLSH 2 WIRE NO 2M SHRT	Einzelheiten
IMB12-04BDSVU2S	SICK, Inc.	SEN PROX FLSH 2 WIRE NO 2M CAB	Einzelheiten
IMB12-04BNOVC0K	SICK, Inc.	SEN PROX SHLD NPN NC M12 SHRT	Einzelheiten
IMB12-04BNOVC0S	SICK, Inc.	SEN PROX SHLD NPN NC M12	Einzelheiten