EMT1T2R detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
EMT1T2R |
Teilstatus |
Active |
Transistor-Typ |
2 PNP (Dual) |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) |
150mA |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) |
50V |
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic |
500mV @ 5mA, 50mA |
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) |
100nA (ICBO) |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce |
120 @ 1mA, 6V |
Leistung max |
150mW |
Frequenz - Übergang |
140MHz |
Betriebstemperatur |
150°C (TJ) |
Befestigungsart |
Surface Mount |
Paket / Fall |
SOT-563, SOT-666 |
Lieferantengerätepaket |
EMT6 |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
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