EMF17T2R detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
EMF17T2R |
Teilstatus |
Not For New Designs |
Transistor-Typ |
1 NPN Pre-Biased, 1 PNP |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) |
100mA, 150mA |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) |
50V |
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) |
2.2k |
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) |
2.2k |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce |
20 @ 20mA, 5V / 180 @ 1mA, 6V |
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic |
300mV @ 500µA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA |
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) |
500nA |
Frequenz - Übergang |
250MHz, 140MHz |
Leistung max |
150mW |
Befestigungsart |
Surface Mount |
Paket / Fall |
SOT-563, SOT-666 |
Lieferantengerätepaket |
EMT6 |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
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