EMD6FHAT2R detaillierte Beschreibung
| Artikelnummer |
EMD6FHAT2R |
| Teilstatus |
Active |
| Transistor-Typ |
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) |
100mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) |
50V |
| Resistor - Base (R1) |
4.7 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) |
- |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce |
100 @ 1mA, 5V |
| Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic |
300mV @ 250µA, 5mA |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) |
500nA (ICBO) |
| Frequenz - Übergang |
250MHz |
| Leistung max |
150mW |
| Befestigungsart |
Surface Mount |
| Paket / Fall |
SOT-563, SOT-666 |
| Lieferantengerätepaket |
EMT6 |
| Gewicht |
- |
| Ursprungsland |
- |
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