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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, mit Vorspannung › EMD29T2R
EMD29T2R

EMD29T2R - Rohm Semiconductor

Artikelnummer
EMD29T2R
Hersteller
Rohm Semiconductor
Kurze Beschreibung
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.12W EMT6
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
EMD29T2R PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
EMD29T2R.pdf
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, mit Vorspannung
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
257018 pcs
Referenzpreis
USD 0.1008/pcs
Unser Preis
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EMD29T2R detaillierte Beschreibung

Artikelnummer EMD29T2R
Teilstatus Active
Transistor-Typ 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100mA, 500mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V, 12V
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) 1k, 10k
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) 10k
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 500nA
Frequenz - Übergang 250MHz, 260MHz
Leistung max 120mW
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall SOT-563, SOT-666
Lieferantengerätepaket EMT6
Gewicht -
Ursprungsland -

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