Artikelnummer | EM6K1T2R |
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Teilstatus | Not For New Designs |
FET Typ | 2 N-Channel (Dual) |
FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 100mA |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 8 Ohm @ 10mA, 4V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 100µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 13pF @ 5V |
Leistung max | 150mW |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | SOT-563, SOT-666 |
Lieferantengerätepaket | EMT6 |
Gewicht | - |
Ursprungsland | - |