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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung › DTD543EMT2L
DTD543EMT2L

DTD543EMT2L - Rohm Semiconductor

Artikelnummer
DTD543EMT2L
Hersteller
Rohm Semiconductor
Kurze Beschreibung
TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
DTD543EMT2L PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
DTD543EMT2L.pdf
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
284207 pcs
Referenzpreis
USD 0.0915/pcs
Unser Preis
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DTD543EMT2L detaillierte Beschreibung

Artikelnummer DTD543EMT2L
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 500mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 12V
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) 4.7k
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) 4.7k
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 115 @ 100mA, 2V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 5mA, 100mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 500nA
Frequenz - Übergang 260MHz
Leistung max 150mW
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall SOT-723
Lieferantengerätepaket VMT3
Gewicht -
Ursprungsland -

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