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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung › DTD143ECHZGT116
DTD143ECHZGT116

DTD143ECHZGT116 - Rohm Semiconductor

Artikelnummer
DTD143ECHZGT116
Hersteller
Rohm Semiconductor
Kurze Beschreibung
500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR WI
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
DTD143ECHZGT116 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
4544587 pcs
Referenzpreis
USD 0.03623/pcs
Unser Preis
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DTD143ECHZGT116 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer DTD143ECHZGT116
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased + Diode
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 500mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) -
Resistor - Base (R1) 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 4.7 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 47 @ 50mA, 5V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) -
Frequenz - Übergang 200MHz
Leistung max 200mW
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Lieferantengerätepaket SST3
Gewicht -
Ursprungsland -

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