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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung › DTD114GKT146
DTD114GKT146

DTD114GKT146 - Rohm Semiconductor

Artikelnummer
DTD114GKT146
Hersteller
Rohm Semiconductor
Kurze Beschreibung
TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
DTD114GKT146 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
DTD114GKT146.pdf
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
15000 pcs
Referenzpreis
USD 0.1271/pcs
Unser Preis
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DTD114GKT146 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer DTD114GKT146
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 500mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) -
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) 10k
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 56 @ 50mA, 5V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 500nA (ICBO)
Frequenz - Übergang 200MHz
Leistung max 200mW
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Lieferantengerätepaket SMT3
Gewicht -
Ursprungsland -

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