| Artikelnummer | DTD114ECHZGT116 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Transistor-Typ | NPN - Pre-Biased + Diode |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 500mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | - |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 56 @ 50mA, 5V |
| Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | - |
| Frequenz - Übergang | 200MHz |
| Leistung max | 200mW |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Lieferantengerätepaket | SST3 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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